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J-GLOBAL ID：201802270833185746   整理番号：18A1697383

Si上にエピタキシャル成長した直接変調量子ドットレーザ

Directly modulated quantum dot lasers epitaxially grown on Si

著者 (10件)： INOUE Daisuke (Tokyo Inst. of Technol.) ,  INOUE Daisuke (Univ. California, Santa Barbara) ,  INOUE Daisuke (Sumitomo Electric Ind., Ltd.) ,  JUNG Daehwan (Univ. California, Santa Barbara) ,  NORMAN Justin (Univ. California, Santa Barbara) ,  WAN Yating (Univ. California, Santa Barbara) ,  NISHIYAMA Nobuhiko (Tokyo Inst. of Technol.) ,  ARAI Shigehisa (Tokyo Inst. of Technol.) ,  GOSSARD Arthur C. (Univ. California, Santa Barbara) ,  BOWERS John E. (Univ. California, Santa Barbara)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.18p-212A-1  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *光変調 ,  *量子ドットレーザ ,  ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  レーザ出力 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  PN接合 ,  アイパターン ,  ノンリターンツーゼロ ,  レーザ発振 ,  電流光出力特性 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Si基板 ,  *直接変調

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  エピタキシャル成長 ,  直接変調 ,  量子ドットレーザ