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J-GLOBAL ID：201802283305717648   整理番号：18A1697595

液浸ラマン分光法で観測される高濃度SiGeラマンスペクトルのブロードピークを利用したGe濃度定量

著者 (8件)： 横川凌 (明治大 理工) ,  横川凌 (日本学術振興会) ,  小原田賢聖 (明治大 理工) ,  吉岡和俊 (明治大 理工) ,  石原聖也 (明治大 理工) ,  石原聖也 (日本学術振興会) ,  臼田宏治 (東芝メモリ) ,  小椋厚志 (明治大 理工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.18p-235-13  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 浸漬 ,  *Raman分光法 ,  *半導体材料 ,  *濃度測定 ,  歪 ,  強度 ,  ピーク強度
準シソーラス用語： 液浸 ,  *SiGe ,  *濃度定量

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (8件)： 液浸 ,  ラマン分光法 ,  観測 ,  高濃度 ,  SiGe ,  ラマンスペクトル ,  Ge ,  濃度定量