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J-GLOBAL ID：201802286917690300   整理番号：18A0631841

軸上(001)Si基板上に成長した1.3μm InAs量子ドットレーザの高速直接変調

High-speed direct modulation of 1.3 μm InAs quantum dot laser grown on on-axis (001) Si substrate

著者 (9件)： INOUE Daisuke (Tokyo Inst. of Technol.) ,  INOUE Daisuke (Univ. California, Santa Barbara) ,  JUNG Daehwan (Univ. California, Santa Barbara) ,  WAN Yating (Univ. California, Santa Barbara) ,  NORMAN Justin (Univ. California, Santa Barbara) ,  NISHIYAMA Nobuhiko (Tokyo Inst. of Technol.) ,  ARAI Shigehisa (Tokyo Inst. of Technol.) ,  GOSSARD Arthur C. (Univ. California, Santa Barbara) ,  BOWERS John E. (Univ. California, Santa Barbara)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-B201-3  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *量子ドットレーザ ,  *量子ドット ,  ヒ化インジウム ,  MBE成長 ,  ウエハ【IC】 ,  ドライエッチング ,  リソグラフィー ,  バイアス ,  誤り率 ,  ノンリターンツーゼロ ,  消光比 ,  光変調 ,  InAs量子ドット
準シソーラス用語： バイアス電流 ,  直接変調

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  成長 ,  InAs量子ドット ,  レーザ ,  直接変調