特許

J-GLOBAL ID：201803003323507770

半導体装置

発明者： 角嶋 邦之 ,  岩井 洋 ,  筒井 一生 ,  若林 整 ,  星井 拓也 ,  池内 勇太 ,  戸野谷 純一 ,  菊地 拓雄 ,  高木 孝治 ,  片岡 淳司 ,  石川 諭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 蔵田 昌俊 ,  野河 信久 ,  峰 隆司 ,  河野 直樹 ,  鵜飼 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-050425
公開番号（公開出願番号）：特開2018-156993
出願日： 2017年03月15日
公開日（公表日）： 2018年10月04日
要約：

【課題】コンタクト抵抗の低減を可能にする半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、窒化ガリウムを含む導電部5を有する基板7と、導電部5と電気的に導通する金属配線層1と、中間層2とを含む半導体装置10が提供される。中間層2は、導電部5と金属配線層1間を電気的に接続し、下記(1)式を満たす元素を含有する。 φm/Ea≧3 (1)ここで、φmは元素の仕事関数(eV)で、Eaは元素の不純物準位と価電子帯のエネルギー差(eV)である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化ガリウムを含む導電部を有する基板と、 前記導電部と電気的に導通する金属配線層と、 前記導電部と前記金属配線層間を電気的に接続し、下記(1)式を満たす元素を含有する中間層と を含む半導体装置。 φm/Ea≧3 (1) ここで、前記φmは前記元素の仕事関数(eV)で、前記Eaは前記元素の不純物準位と価電子帯のエネルギー差(eV)である。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/417

FI (5件)：

H01L21/28 301R ,  H01L29/80 F ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/50 J

Fターム (26件)：

4M104AA04 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104FF18 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG11 ,  4M104HH04 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04