研究者
J-GLOBAL ID：200901052474874077   更新日: 2023年07月12日

筒井 一生

ツツイ カズオ | Tsutsui Kazuo
所属機関・部署：
東京工業大学 工学院

東京工業大学 工学院 について


職名： 特任教授
研究分野 (2件)： 電子デバイス、電子機器 ,  応用物性
研究キーワード (10件)： integrated devices ,  heteroepitaxy ,  device process ,  electronic materials ,  electron devices ,  集積デバイス ,  異種材料ヘテロ ,  デバイスプロセス技術 ,  電子材料 ,  電子デバイス
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • resonant tunneling devices
  • Ultra shallow junctions using plasma doping method
  • Heteroepitaxy and its applications
  • 共鳴トンネルデバイス
  • プラズマドーピング法による極浅接合形成
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MISC (244件)：
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書籍 (2件)：
  • よくわかる電子デバイス
    オーム社 1999
  • 表面科学シリーズ4 表面・界面の電子状態
    丸善 1987
講演・口頭発表等 (193件)：
  • Electrical Characteristics of Rare Earth (La, Ce, Pr and Tm) Oxides/Silicates Gate Dielectric
    (China Semiconductor Technology International Conference 2010)
  • Fabrication of SB-MOSFETs on SOI Substrate Using Ni Silicide Containing Er Interlayer
    (China Semiconductor Technology International Conference 2010)
  • Performance of Silicon Ballistic Nanowire MOSFET with Diverse Orientations and Diameters
    (China Semiconductor Technology International Conference 2010)
  • Depth Profiling of Chemical Bonding States of Impurity Atoms and Their Correlation with Electrical Activity in Si Shallow Junctions
    (IEEE IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology 2010)
  • Vacancy-Type Defects in Ultra-Shallow Junctions Fabricated Using Plasma Doping Studied by Positron Annihilation
    (IEEE IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology 2010)
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学歴 (3件)：
  • - 1986 東京工業大学
  • - 1986 東京工業大学大学院 大学院総合理工学研究科 電子システム
  • - 1981 東京工業大学 工学部 電気・電子工学科
学位 (1件)：
  • 工学博士 (東京工業大学)
経歴 (4件)：
  • 1990 - -:
  • 1990 - -:東京工業大学 助教授
  • 1986 - -:
  • 1986 - -:東京工業大学 助手
所属学会 (4件)：
IEEE EDS ,  電子情報通信学会 ,  IEEE EDS ,  応用物理学会
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