特許

J-GLOBAL ID：201803008425384704

光導波路回路及びその製造方法

発明者： 堀川 剛 ,  最上 徹 ,  木下 啓藏
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  日本電気株式会社 ,  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
代理人 (5件)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  竹内 茂雄 ,  山本 修 ,  鳥居 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-171424
公開番号（公開出願番号）：特開2018-036575
出願日： 2016年09月02日
公開日（公表日）： 2018年03月08日
要約：

【課題】温度制御による特性補償の困難を回避し、シリコン導波路において特に留意される製造誤差による特性変動をも補償する低電力消費かつ高性能の光導波路回路を提供する。【解決手段】光導波路回路200は、シリコン(Si)基板202と、Si基板上に形成された埋め込み酸化膜(BOX)層204と、BOX層上に形成されたSOI(Silicon on Insulator)層206A、206Bであって、SOI層を主たる光伝送媒体とする光素子を含む、SOI層とを備える。光素子の導波路の少なくとも一部は、一様に分布した熱的に不安定な結晶欠陥を含有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン(Si)基板と、 前記Si基板上に形成された埋め込み酸化膜(BOX)層と、 前記BOX層上に形成されたSOI(Silicon on Insulator)層であって、前記SOI層を主たる光伝送媒体とする光素子を含む、SOI層と を備え、 前記光素子の導波路の少なくとも一部が、一様に分布した熱的に不安定な結晶欠陥を含有することを特徴とする光導波路回路。

IPC (2件)：

G02B 6/12 ,  G02B 6/13

FI (2件)：

G02B6/12 371 ,  G02B6/13

Fターム (23件)：

2H147AB02 ,  2H147AB15 ,  2H147AB17 ,  2H147BD03 ,  2H147BE04 ,  2H147BE15 ,  2H147DA08 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147FA03 ,  2H147FA05 ,  2H147FA09 ,  2H147FA25 ,  2H147FB01 ,  2H147FB04 ,  2H147FC03 ,  2H147FE02 ,  2H147FE06 ,  2H147FE07 ,  2H147GA01 ,  2H147GA10 ,  2H147GA29