特許

J-GLOBAL ID：201803010162243234

誘電体薄膜

発明者： 長田 貴弘 ,  ソム クマラグルバラン ,  知京 豊裕 ,  高橋 健一郎 ,  李 成奇 ,  鈴木 摂 ,  恒川 吉文
出願人/特許権者： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-171406
公開番号（公開出願番号）：特開2016-044350
特許番号：特許第6308554号
出願日： 2014年08月26日
公開日（公表日）： 2016年04月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 Biを含む誘電体層とBiの拡散を抑止する元素を含むバリア層とを交互積層した誘電体薄膜。

IPC (4件)：

C23C 14/08 ( 200 6.01) ,  H01B 3/12 ( 200 6.01) ,  H01G 4/33 ( 200 6.01) ,  H01G 4/12 ( 200 6.01)

FI (6件)：

C23C 14/08 K ,  H01B 3/12 303 ,  H01B 3/12 318 Z ,  H01G 4/06 102 ,  H01G 4/12 397 ,  H01G 4/12 394