特許
J-GLOBAL ID：201803010208017765
シリコンウェーハ表層中の原子空孔評価方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
牛木 護
, 高橋 知之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-232352
公開番号（公開出願番号）：特開2014-168042
特許番号：特許第6291797号
出願日： 2013年11月08日
公開日（公表日）： 2014年09月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】シリコン試料の同一表面上に対向した一対の表面超音波素子を形成する素子形成工程と、前記シリコン試料を冷却して外部磁場を印加しながら前記表面超音波素子の一方から超音波パルスを発振するとともに前記シリコン試料の表面を伝播した超音波パルスを前記表面超音波素子の他方により受信し、前記表面超音波素子の一方から発振された超音波パルスと前記表面超音波素子の他方により受信された超音波パルスとの位相差を検出する検出工程と、前記位相差に基づき前記シリコン試料の表層の弾性定数Csを求め、温度に対する弾性定数Csの変化又は磁場強度に対する弾性定数Csの変化に基づいて前記シリコン試料の表層中の原子空孔濃度Nを評価する評価工程とを備え、
前記評価工程において、前記シリコン試料の表層の弾性定数Csの低温ソフト化量ΔCs/Csを求め、低温ソフト化量ΔCs/Cs=1×10-4に対して原子空孔濃度N=(1.6±0.2)×1012cm-3が相当することに基いて原子空孔濃度Nを決定することを特徴とするシリコンウェーハ表層中の原子空孔評価方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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