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J-GLOBAL ID：201902211186356803   整理番号：19A2619272

DPC STEMを用いたGaN系半導体ヘテロ界面電場直接観察

著者 (9件)： 遠山慧子 (東大 工) ,  関岳人 (ソニー) ,  蟹谷裕也 (ソニー) ,  工藤喜弘 (ソニー) ,  冨谷茂隆 (ソニー) ,  幾原雄一 (東大 工) ,  幾原雄一 (JFCC ナノ研) ,  柴田直哉 (東大 工) ,  柴田直哉 (JFCC ナノ研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20a-E318-8  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 微分位相コントラスト法(DPC)は走査透過型電子顕微鏡法(STEM)の明視野領域に分割型検出器を導入し,電子線偏向を捉えることで局所電磁場を実空間直接観察する手法である.Fig. 1にDPC STEMの概略図を示す.本手法は,材料中の局所電...【本文一部表示】

シソーラス用語： *透過型走査電子顕微鏡 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  界面 ,  分布 ,  量子井戸 ,  *ヘテロ界面 ,  *電界分布
準シソーラス用語： STEM【顕微鏡】 ,  キャリア分布 ,  *電場分布 ,  微分位相コントラスト法 ,  微分位相法

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： DPC ,  STEM ,  GaN ,  ヘテロ界面 ,  電場 ,  直接観察