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J-GLOBAL ID:201902213590558426   整理番号:19A1376371

逆格子空間マッピングを用いたGe1-xSnxメサ構造における歪緩和評価

著者 (6件):
資料名:
巻: 66th  ページ: ROMBUNNO.12a-M113-2  発行年: 2019年02月25日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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背景と目的: Ge1-xSnxはSiやGeと比較し、正孔・電子移動度共に高い値を有しており、高移動度の次世代トランジスタ材料として注目されている。また、Ge1-xSnxにはSiと同様に歪技術が有効であると考えられており、更なる電子・正孔移動...【本文一部表示】
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分類 (1件):
分類
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半導体の格子欠陥 
タイトルに関連する用語 (5件):
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