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J-GLOBAL ID：201902232003883440   整理番号：19A1374437

InGaZnO₄バルク単結晶における格子間水素の電子状態

著者 (9件)： 平石雅俊 (KEK 物構研) ,  小嶋健児 (TRIUMF) ,  岡部博孝 (KEK 物構研) ,  幸田章宏 (KEK 物構研) ,  幸田章宏 (総合研究大学院大) ,  門野良典 (KEK 物構研) ,  門野良典 (総合研究大学院大) ,  小林裕樹 (東京理大 理) ,  宮川宣明 (東京理大 理)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10a-PB2-15  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： In-Ga-Zn-O(通称IGZO)は高移動度を示すワイドギャップ酸化物半導体であり、アモルファス膜では既に様々な家電製品のディスプレイ駆動用透明半導体として実用化されている。しかしながら、薄膜トランジスタ(TFT)での応用状の問題として、...【本文一部表示】

シソーラス用語： 単結晶 ,  *電子状態 ,  *格子間原子 ,  水素 ,  *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化物 ,  化合物半導体 ,  酸化インジウム ,  結晶構造 ,  結晶度 ,  点欠陥 ,  酸化物半導体 ,  酸素欠陥 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： IGZO【半導体】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  単結晶 ,  格子 ,  水素 ,  電子状態