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J-GLOBAL ID：201902236846736653   整理番号：19A0296895

高絶縁性を有するトポロジカル絶縁体単結晶開発と電子構造解析

著者 (5件)： 江連大貴 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  竹田駿 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  三澤哲郎 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  村瀬正恭 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  笹川崇男 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (セラミックス基礎科学討論会講演予稿集)
巻： 57th  ページ： 160  発行年： 2019年01月16日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： トポロジー絶縁体は,バルクバンドギャップとギャップのない表面状態を有する新しい材料であ...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： *トポロジカル絶縁体 ,  単結晶 ,  電気絶縁 ,  Fermi準位 ,  表面構造 ,  *電子状態 ,  *硫化物 ,  *テルル化合物 ,  アンチモン化合物 ,  ビスマス化合物 ,  スズ ,  Bridgman法 ,  劈開【結晶】 ,  比率 ,  化学組成 ,  キャリア ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  振動 ,  構造
準シソーラス用語： 組成比 ,  量子振動

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁性 ,  トポロジカル絶縁体 ,  単結晶 ,  開発 ,  電子構造 ,  解析