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J-GLOBAL ID：201902239707278588   整理番号：19A1370143

Siナノピラー構造の間隔制御することによるフォノン場制御とキャリア輸送特性に与える影響

著者 (10件)： 大堀大介 (東北大 流体科研) ,  久保山瑛哲 (東京理大) ,  村田正行 (産業技術総合研) ,  山本淳 (産業技術総合研) ,  野村政宏 (東大 生産技研) ,  遠藤和彦 (東北大 流体科研) ,  遠藤和彦 (産業技術総合研) ,  寒川誠二 (東北大 流体科研) ,  寒川誠二 (東北大 AIMR) ,  寒川誠二 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.9p-W371-7  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】近年の高度情報化社会の発達によりIoT社会が到来し、そのセンサ用自立電源では、低環境負荷なSiを用いた熱電変換素子が注目されている。Si薄膜における熱電変換素子では、Siにナノ構造を形成することで、絶対性能指数(ZT)の向上が図られ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *ケイ素 ,  *キャリア移動度 ,  散乱 ,  熱電素子 ,  半導体材料 ,  *熱伝導率 ,  フェリチン ,  熱CVD ,  電気伝導率 ,  *ナノピラー ,  フォノン散乱
準シソーラス用語： *SiGe ,  熱電変換素子

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  金属の比熱・熱伝導  (BL05022V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ナノピラー ,  間隔制御 ,  フォノン ,  キャリア ,  輸送特性