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J-GLOBAL ID：201902244431130065   整理番号：19A2598994

中性粒子ビームエッチング法による高効率GaNマイクロLEDの作製

著者 (10件)： ZHU J. (産総研 ESPRIT) ,  高橋言緒 (産総研 ESPRIT) ,  遠藤和彦 (産総研 NeRI) ,  大堀大介 (東北大 IFS) ,  寒川誠二 (東北大 IFS) ,  寒川誠二 (東北大 AIMR) ,  寒川誠二 (産総研 NeRI) ,  WANG X.-L. (産総研 GaN-OIL) ,  WANG X.-L. (名大 IMaSS) ,  WANG X.-L. (産総研 ESPRIT)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.19a-E310-9  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】GaNマイクロLEDディスプレイ実現のための課題の一つとして、LEDサイズの縮小に伴う発光効率の低下が挙げられる。従来のGaNマイクロLEDの作製では、LEDメサの加工に誘導結合プラズマ(ICP)が一般的に用いられる。この場合、...【本文一部表示】

シソーラス用語： 中性粒子ビーム ,  エッチング ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *発光ダイオード ,  *構造 ,  *ドライエッチング ,  塩素 ,  量子効率 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化インジウムガリウム ,  ビーム
準シソーラス用語： *ミクロ構造 ,  外部量子効率 ,  窒化ガリウムインジウム ,  *中性粒子ビームエッチング

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 中性粒子ビーム ,  エッチング ,  高効率 ,  GaN ,  マイクロLED ,  作製