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J-GLOBAL ID：201902246120362526   整理番号：19A2619647

塩素中性粒子ビームエッチングによるGaN HEMT高信頼化

著者 (7件)： 菅原健太 (住友電気工業) ,  岡田政也 (住友電気工業) ,  市川弘之 (住友電気工業) ,  井上和孝 (住友電気工業) ,  大堀大介 (東北大 流体科研) ,  寒川誠二 (東北大 流体科研) ,  寒川誠二 (東北大 AIMR)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20p-E301-8  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)は、第4世代無線基地局(4G)向け高出力パワーアンプとして優れた特性を発揮し、普及が進んでいる。ミリ波帯活用が見込まれる5Gに向けてはデバイスの薄層化・微細化が必須であるが、薄層化に伴...【本文一部表示】

シソーラス用語： 塩素 ,  *中性粒子ビーム ,  ドライエッチング ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *信頼性 ,  特性 ,  電圧 ,  閾値電圧 ,  *ビーム
準シソーラス用語： GaN ,  *高信頼性 ,  トランスファー特性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 塩素 ,  中性粒子ビーム ,  エッチング ,  GaN ,  HEMT ,  信頼