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J-GLOBAL ID：201902254400296550   整理番号：19A2620116

スパッタ法によるSi基板上へのBiFeO₃薄膜のエピタキシャル成長 II

著者 (3件)： 岡本直樹 (大阪府大 工) ,  吉村武 (大阪府大 工) ,  藤村紀文 (大阪府大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.21a-C309-6  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】近年、IoTにおける自立型センサーノード等の電力供給源として圧電式の振動発電素子が注目されている。我々は圧電体材料として、巨大な自発分極と低い比誘電率を有するBiFeO3に着目し、高効率な圧電MEMS振動発電素子の開発に取り組ん...【本文一部表示】

シソーラス用語： *スパッタリング ,  ウエハ【IC】 ,  *ビスマス化合物 ,  *フェライト ,  *鉄化合物 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *エピタクシー ,  空間 ,  *特性 ,  酸化物薄膜 ,  逆格子空間 ,  シリコンウエハ ,  *ビスマスフェライト
準シソーラス用語： Si基板 ,  *酸化鉄ビスマス ,  エピタキシャル成長 ,  *圧電特性

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタ法 ,  Si基板 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長