文献

J-GLOBAL ID：201902257117870927   整理番号：19A2618528

ミニマル中性粒子ビームエッチング装置の開発

著者 (14件)： 大堀大介 (東北大 流体科研) ,  野田周一 (産業技術総合研) ,  野沢善幸 (SPPテクノロジーズ) ,  LIAO B. (SPPテクノロジーズ) ,  藤井竜介 (SPPテクノロジーズ) ,  速水利泰 (SPPテクノロジーズ) ,  門井幹夫 (リソテックジャパン) ,  石田昌久 (長瀬産業) ,  田中麻美 (長瀬産業) ,  曽田匡洋 (長瀬産業) ,  遠藤和彦 (東北大 流体科研) ,  遠藤和彦 (産業技術総合研) ,  寒川誠二 (東北大 流体科研) ,  寒川誠二 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.19p-E304-3  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： <緒言>半導体デバイスの微細化が進むにつれ、微細加工技術に必要な装置の大口径化・大規模化・高価格化が益々進んでいる。一方、このような最先端装置を少量多品種の革新的半導体微細デバイスの研究開発や量産に展開することは基板サイズや価格の面で困難で...【本文一部表示】

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  多種少量生産 ,  *エッチング ,  中性粒子 ,  *中性粒子ビーム ,  半導体 ,  誘導結合プラズマ ,  ケイ素 ,  プラズマ生成 ,  格子欠陥 ,  電荷交換 ,  半導体素子 ,  微細加工 ,  量子ドット ,  *ミニマルファブ ,  *ビーム ,  プラズマ
準シソーラス用語： 半導体製造装置

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 中性粒子ビーム ,  エッチング装置 ,  開発