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J-GLOBAL ID：201902263083007436   整理番号：19A1376567

プラズマ支援反応性プロセスを用いた大面積基板へのIGZO薄膜トランジスタの形成

著者 (7件)： 節原裕一 (阪大 接合研) ,  竹中弘祐 (阪大 接合研) ,  吉谷友希 (阪大 接合研) ,  平山裕之 (阪大 接合研) ,  遠藤雅 (阪大 接合研) ,  内田儀一郎 (阪大 接合研) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.12a-W641-13  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 8Kスーパーハイビジョンに代表される大画面・高精細・高輝度フラットパネルディスプレイの開発に向けて、制御駆動素子である薄膜トランジスタ(thin-film transistor,TFT)の高性能化が要求されている。そのTFTのチャネル層材料...【本文一部表示】

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  インジウム化合物 ,  フラットパネルディスプレイ ,  非晶質半導体 ,  反応性スパッタリング ,  膜厚 ,  キャリア移動度 ,  酸化物 ,  大面積 ,  等価酸化膜厚 ,  電界効果移動度 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  アモルファス半導体

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  支援 ,  反応性 ,  プロセス ,  大面積基板 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ