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J-GLOBAL ID：201902268508933241   整理番号：19A0156966

ポストドーピングを用いないNドープZnOナノロッドアレイの作製

著者 (4件)： 小林亮介 (東京工大) ,  岸哲生 (東京工大) ,  矢野哲司 (東京工大) ,  松下伸広 (東京工大)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 31st  ページ： ROMBUNNO.1Q05  発行年： 2018年08月27日 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 配列 ,  ナノロッド ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  水熱合成 ,  アンモニア ,  分解反応 ,  配位子 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  空格子点 ,  不純物準位 ,  *ナノロッドアレイ ,  酸化亜鉛ナノロッド ,  *窒素ドーピング ,  酸素空格子点
準シソーラス用語： 水熱法 ,  酸素空孔

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドーピング ,  ドープ ,  ZnOナノロッド ,  アレイ ,  作製