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J-GLOBAL ID：201902269592138835   整理番号：19A2598446

Siナノピラー間隔変化による熱伝導率・電気伝導率の独立制御

著者 (10件)： 大堀大介 (東北大 流体科研) ,  久保山瑛哲 (東京理大) ,  村田正行 (産業技術総合研) ,  山本淳 (産業技術総合研) ,  野村政宏 (東大 生産技研) ,  遠藤和彦 (東北大 流体科研) ,  遠藤和彦 (産業技術総合研) ,  寒川誠二 (東北大 流体科研) ,  寒川誠二 (東北大 AIMR) ,  寒川誠二 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.18p-E214-8  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】AI・IoT社会の実現を目指し、IoTセンサ用自立電源において低環境負荷なSiを用いた熱電変換素子が注目されている。Si薄膜における熱電変換素子では、Siにナノ構造を形成することで、絶対性能指数(ZT)の向上が図られている[1]。し...【本文一部表示】

シソーラス用語： ナノ構造 ,  柱 ,  ケイ素 ,  *熱伝導率 ,  *電気伝導率 ,  *熱電素子 ,  熱電気変換 ,  複合膜 ,  ゲルマニウム ,  ナノピラー ,  立体
準シソーラス用語： Siナノピラー

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  ナノピラー ,  熱伝導率 ,  電気伝導率