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J-GLOBAL ID：201902269958918317   整理番号：19A2598273

HBr中性粒子ビームによるGe原子層無欠陥エッチングの検討

著者 (12件)： 大堀大介 (東北大 流体科研) ,  藤井拓也 (東北大 流体科研) ,  野田周一 (産業技術総合研) ,  水林亘 (産業技術総合研) ,  遠藤和彦 (東北大 流体科研) ,  遠藤和彦 (産業技術総合研) ,  LI Yiming (NCTU) ,  LEE Yao-Jen (NDL) ,  尾崎卓哉 (東北大 流体科研) ,  寒川誠二 (東北大 流体科研) ,  寒川誠二 (産業技術総合研) ,  寒川誠二 (東北大 AIMR)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.18p-B11-12  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】Si半導体デバイスではプレーナ形MOSトランジスタの短チャネル効果によるゲート長の微細化の限界により3次元Fin型電界効果トランジスタ構造が用いられている。さらにより高いキャリア移動度をもつGeを従来のSiと置き換えることで更なる高...【本文一部表示】

シソーラス用語： *臭化水素 ,  *中性粒子ビーム ,  ゲルマニウム ,  半導体材料 ,  *半導体薄膜 ,  気体 ,  *エッチング ,  格子欠陥 ,  誘導結合プラズマ ,  X線光電子分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  深さプロフィル ,  温度依存性 ,  エッチングガス ,  *ビーム ,  プラズマ
準シソーラス用語： XPS ,  AFM【顕微鏡】 ,  SEM【顕微鏡】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： HBr ,  中性粒子ビーム ,  Ge ,  原子層 ,  欠陥 ,  エッチング