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J-GLOBAL ID：201902272032456831   整理番号：19A2599002

水素化アモルファス炭素膜の構造と電気伝導特性の関係

著者 (8件)： 冨所優志 (東京工大 工) ,  TUNMEE Sarayut (泰シンクロトロン光研) ,  NAKAJIMA Hideki (泰シンクロトロン光研) ,  RITTIHONG Ukit (泰シンクロトロン光研) ,  SUPRUANGNET Ratchadaporn (泰シンクロトロン光研) ,  平田祐樹 (東京工大 工) ,  大竹尚登 (東京工大 工) ,  赤坂大樹 (東京工大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.19a-E312-1  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1 緒言 水素化アモルファス炭素(a-C:H)膜は,sp2及びsp3結合炭素と水素をから成る非晶質膜である.膜の組成及び構造に依存して,バンドギャップ等の電気的特性が変化する.本研究では,種々の条件で作製したa-C:H膜に対して,構造と電気...【本文一部表示】

シソーラス用語： *水素化物 ,  *炭素材 ,  半導体薄膜 ,  電気伝導 ,  *非晶質 ,  *薄膜 ,  コンダクタンス ,  温度依存性 ,  ホッピング伝導 ,  プラズマCVD ,  原子発光分析 ,  活性化エネルギー ,  *炭素 ,  バンド伝導 ,  *水素化アモルファス炭素 ,  *非晶質薄膜 ,  グロー放電発光分析 ,  *アモルファスカーボン
準シソーラス用語： GDOES【分光分析】 ,  *非晶質炭素

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 水素化アモルファス炭素 ,  電気伝導特性