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J-GLOBAL ID：201902275988956623   整理番号：19A1370313

塩素中性粒子ビームによる窒化ガリウム原子層エッチング

著者 (5件)： 菅原健太 (住友電気工業) ,  大堀大介 (東北大 流体科研) ,  井上和孝 (住友電気工業) ,  寒川誠二 (東北大 流体科研) ,  寒川誠二 (東北大 AIMR)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10a-M121-9  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】近年、高度ネットワーク社会が構築され、無線システムの電波需要は年々増加の一途をたどっている。次世代無線アクセス技術(5G)に向け、高速・高出力な無線通信を実現するために、窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)によ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *エッチング ,  塩素 ,  *窒化ガリウム ,  *中性粒子ビーム ,  HEMT ,  アルミニウム化合物 ,  ゲート【半導体】 ,  絶縁膜 ,  加工欠陥 ,  加工性 ,  窒化ケイ素 ,  原子層 ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  *ビーム
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  ゲート電極 ,  原子層エッチング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 塩素 ,  中性粒子ビーム ,  窒化ガリウム ,  原子層エッチング