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J-GLOBAL ID：201902277099317996   整理番号：19A1740650

Sn_0.02Bi_1.08Sb_0.9Te₂Sにおける表面電子輸送特性のゲート制御

著者 (10件)： 三澤哲郎 (産総研 NMIJ) ,  三澤哲郎 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  福山康弘 (産総研 NMIJ) ,  中村秀司 (産総研 NMIJ) ,  岡崎雄馬 (産総研 NMIJ) ,  名坂成昭 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  江連大貴 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  浦野千春 (産総研 NMIJ) ,  金子晋久 (産総研 NMIJ) ,  笹川崇男 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 74  号： 1  ページ： ROMBUNNO.17aE201-9  発行年： 2019年03月22日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： トポロジカル絶縁体はバルク内部が絶縁体であるが、表面にギャップレスな伝導状態を持つ。我々は高いバルク絶縁性を持つトポロジカル絶縁体Sn0.02Bi1.08Sb0.9Te2S (Sn-BSTS)の単結晶作製および、その伝導特性制御に取り組ん...【本文一部表示】

シソーラス用語： *テルル化物 ,  *アンチモン化物 ,  *ビスマス化合物 ,  スズ化合物 ,  *硫化物 ,  *電気伝導 ,  *制御 ,  電気的性質 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  Fermi面 ,  ゲート【半導体】 ,  *表面伝導 ,  *電子伝導 ,  *ゲート制御
準シソーラス用語： デュアルゲート

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電子輸送 ,  ゲート制御