特許

J-GLOBAL ID：201903000320206424

電力用半導体装置

発明者： 綿引 達郎 ,  湯田 洋平 ,  古川 彰彦 ,  宮島 晋介 ,  滝口 雄貴
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2017005286
公開番号（公開出願番号）：WO2018-150451
出願日： 2017年02月14日
公開日（公表日）： 2018年08月23日
要約：

n型半導体層(1a)は、単結晶構造を有しており、ワイドギャップ半導体材料からなる。p型半導体層(4A)は、n型半導体層(1a)上に設けられており、上記ワイドギャップ半導体材料とは異なる材料からなり、微結晶構造およびアモルファス構造のいずれかを有している。電極(3)は、n型半導体層(1a)およびp型半導体層(4A)の少なくともいずれかの上に設けられている。

請求項（抜粋）：

単結晶構造を有し、ワイドギャップ半導体材料からなるn型半導体層(1a)と、 前記n型半導体層(1a)上に設けられ、前記ワイドギャップ半導体材料とは異なる材料からなり、微結晶構造およびアモルファス構造のいずれかを有するp型半導体層(4A〜4D)と、 前記n型半導体層(1a)および前記p型半導体層(4A〜4D)の少なくともいずれかの上に設けられた電極(3)と、 を備える、電力用半導体装置(10,20,30,40)。

IPC (7件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/41

FI (13件)：

H01L29/86 301D ,  H01L29/91 K ,  H01L29/91 F ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/86 301E ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 B ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/48 F ,  H01L29/44 Y

Fターム (24件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104EE06 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF02 ,  4M104FF10 ,  4M104FF34 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15