特許

J-GLOBAL ID：201903001299833231

シリコン電極とその製造方法

発明者： 小野 陽子 ,  渦巻 裕也 ,  小松 武志 ,  宮島 晋介
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  工藤 理恵
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-112696
公開番号（公開出願番号）：特開2019-216184
出願日： 2018年06月13日
公開日（公表日）： 2019年12月19日
要約：

【課題】保護力とホールの導電性を両立できる保護層を備えたシリコン電極を提供する。【解決手段】水溶液中において光照射を受けて水分解反応を起こすシリコン電極1であって、光を透過させる透明基板10と、透明基板10上に成膜された透明導電膜20と、透明導電膜20上に成膜されたシリコン層30と、シリコン層30上に成膜された保護層40とを備え、保護層40は、ニッケル酸化物又はコバルト酸化物からなり、保護層40の膜厚は、10nm〜50nmである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光を透過させる透明基板と、 前記透明基板上に成膜された透明導電膜と、 前記透明導電膜上に成膜されたシリコン層と、 前記シリコン層上に成膜された保護層と を備え、 前記保護層は、ニッケル酸化物又はコバルト酸化物からなる ことを特徴とするシリコン電極。

IPC (3件)：

H01L 31/022 ,  C25B 11/06 ,  H01L 31/076

FI (3件)：

H01L31/04 260 ,  C25B11/06 B ,  H01L31/06 510

Fターム (17件)：

4K011AA20 ,  4K011AA25 ,  4K011AA66 ,  4K011AA69 ,  4K011DA01 ,  4K011DA11 ,  5F151AA05 ,  5F151BA11 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CA15 ,  5F151DA04 ,  5F151EA18 ,  5F151FA03 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03