特許
J-GLOBAL ID：201903014196796855
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-174294
公開番号（公開出願番号）：特開2017-049503
特許番号：特許第6600513号
出願日： 2015年09月04日
公開日（公表日）： 2017年03月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1領域および第2領域を有する基体と、
前記第1領域および前記第2領域において前記基体上に形成された絶縁層と、
前記第1領域において前記絶縁層上に形成され、平面視において第1方向に互いに間隔を空けて配置され、且つ、半導体層からなる2つの第1光導波路と、
前記第2領域において前記絶縁層上に形成され、平面視において第2方向に互いに間隔を空けて配置され、且つ、半導体層からなる2つの第2光導波路と、
前記絶縁層の上面、前記2つの第1光導波路の表面および前記2つの第2光導波路の表面に沿って形成された第1絶縁膜と、
前記第1領域において前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜と、
前記第1領域において前記第2絶縁膜上に形成され、且つ、前記第2領域において前記第1絶縁膜上に形成された第3絶縁膜と、
を有し、
前記2つの第1光導波路の各々の第1下面の第1周縁部、および、前記2つの第2光導波路の各々の第2下面の第2周縁部は、前記絶縁層から離れ、
前記第1絶縁膜は、前記第1周縁部と前記絶縁層との間、および、前記第2周縁部と前記絶縁層との間に埋め込まれ、
前記第2絶縁膜は、前記2つの第1光導波路の間に、前記第1絶縁膜を介して埋め込まれ、
前記第1方向における前記2つの第1光導波路の第1間隔は、前記第2方向における前記2つの第2光導波路の第2間隔よりも狭い、半導体装置。
IPC (3件)：
G02B 6/122 ( 200 6.01)
, G02B 6/132 ( 200 6.01)
, G02F 1/025 ( 200 6.01)
G02B 6/122
, G02B 6/132
, G02F 1/025
