特許
J-GLOBAL ID：201903018912692557
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-174295
公開番号（公開出願番号）：特開2017-049504
特許番号：特許第6533131号
出願日： 2015年09月04日
公開日（公表日）： 2017年03月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (a)基体と、前記基体上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、シリコンからなる第1半導体層と、を有する半導体基板を用意する工程、
(b)前記第1半導体層をパターニングし、前記第1半導体層からなる第1半導体部、および、前記第1半導体層からなる第2半導体部を形成する工程、
(c)前記第1半導体部上、および、前記第2半導体部上に、第1絶縁膜を形成する工程、
(d)前記第1絶縁膜を貫通して前記第2半導体部に達する第1開口部を形成する工程、
(e)前記第1開口部に露出した部分の前記第2半導体部上に、ゲルマニウムからなる第2半導体層を含む第3半導体部を形成する工程、
(f)前記(e)工程の後、前記第1半導体部の上方に、第2絶縁膜を形成する工程、
(g)前記第2絶縁膜の上面から前記第1半導体部に達する第2開口部を形成する工程、
(h)前記第2開口部に露出した部分の前記第1半導体部の上面に、金属シリサイド層を形成する工程、
(i)前記金属シリサイド層上に、第1接続電極を形成する工程、
(j)前記(e)工程の後、前記(f)工程の前に、前記第1絶縁膜を貫通して前記第1半導体部に達する第3開口部を形成する工程、
を有し、
前記(f)工程では、前記第3開口部の内壁、および、前記第3開口部に露出した部分の前記第1半導体部上に、前記第2絶縁膜を形成し、
前記(g)工程では、前記第3開口部の底部に形成された部分の前記第2絶縁膜を貫通して前記第1半導体部に達する前記第2開口部を形成し、
半導体装置の製造方法は、さらに、
(k)前記(h)工程の後、前記金属シリサイド層上、および、前記第2絶縁膜上に、第3絶縁膜を形成し、前記第3絶縁膜により前記第2開口部および前記第3開口部を埋め込む工程、
(l)前記(i)工程の前に、前記第3絶縁膜の上面から前記金属シリサイド層に達する第4開口部を形成する工程、
を有し、
前記(i)工程では、前記第4開口部に埋め込まれた第2導電膜からなる前記第1接続電極を形成し、
前記半導体装置の製造方法は、さらに、
(m)前記(h)工程の後、前記(k)工程の前に、前記金属シリサイド層上、および、前記第2絶縁膜上に、窒化シリコンからなる第4絶縁膜を形成する工程、
を有し、
前記(f)工程では、窒化シリコンからなる前記第2絶縁膜を形成し、
前記(k)工程では、前記金属シリサイド層上、および、前記第2絶縁膜上に、前記第4絶縁膜を介して、酸化シリコンからなる前記第3絶縁膜を形成し、
前記(l)工程では、前記第3絶縁膜および前記第4絶縁膜を貫通して前記金属シリサイド層に達する前記第4開口部を形成し、
前記(c)工程では、酸化シリコンからなる前記第1絶縁膜を形成し、
前記(m)工程では、前記第2絶縁膜および前記第4絶縁膜からなる絶縁膜部を形成し、
前記半導体装置の製造方法は、さらに、
(n)前記(m)工程の後、前記(k)工程の前に、前記絶縁膜部をパターニングし、前記絶縁膜部のうち、平面視において前記第3開口部の外部に位置する部分の前記第1半導体部の上方に形成された第1膜部を除去し、前記絶縁膜部のうち、平面視において前記第3開口部の内部に位置する部分の前記第1半導体部の上方に形成された第2膜部を残す工程、
を有し、
前記(k)工程では、前記第1絶縁膜上、前記金属シリサイド層上、および、前記第2膜部上に、前記第3絶縁膜を形成し、
前記(l)工程では、前記第3絶縁膜および前記第2膜部を貫通して前記金属シリサイド層に達する前記第4開口部を形成する、半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/025 ( 200 6.01)
, G02B 6/132 ( 200 6.01)
, G02B 6/12 ( 200 6.01)
, H01L 31/10 ( 200 6.01)
G02F 1/025
, G02B 6/132
, G02B 6/12 301
, H01L 31/10 A
