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J-GLOBAL ID:202002217450692664   整理番号:20A2489773

SmFe2超磁歪薄膜を用いたピエゾエレクトロニック・磁気トンネル接合素子の最近の研究

Recent progress on piezo-electronic magnetoresistive devices using giant magnetostrictive SmFe2 thin films
著者 (9件):
資料名:
巻: 120  号: 180(MRIS2020 1-4)  ページ: 12-15 (WEB ONLY)  発行年: 2020年09月28日 
JST資料番号: U2030A  ISSN: 2432-6380  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)の不揮発性記憶素子である磁気トンネル接合素子(MTJ)においては,磁化反転時に必要な電流密度と情報の熱安定性の間にはトレードオフ関係が存在する.我々は,この関係を打破し消費電力をさらに下げられるデバイスとして,負の超磁歪を持つSmFe2薄膜をフリー層に用いたMTJと,その周囲に形成した圧電体から成る圧力印加構造で構成されるピエゾエレクトロニック・磁気トンネル接合(PEMTJ)を提案している.本発表では,デバイスプロセス中に大気暴露されるSmFe2円柱の側面が酸化されることを円柱の磁化特性の直径依存性から明らかにした.また,面内磁化型SmFe2を記憶磁性層に含むMTJを試作し,磁化の平行/反平行状態およびトンネル伝導特性を確認した.(著者抄録)
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分類 (2件):
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磁性材料  ,  記憶装置 
引用文献 (11件):
タイトルに関連する用語 (4件):
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