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J-GLOBAL ID：202002228435878650   整理番号：20A2239687

硬X線光電子分光を用いたLaNiO₃薄膜の電子構造の基板応力依存性

Tensile strain dependence of electronic structures of LaNiO₃ thin film by using hard X-ray photoemission spectroscopy

著者 (10件)： 山神光平 (東大 物性研) ,  池田啓祐 (東大 物性研) ,  ZHANG Yujun (東大 物性研) ,  ZHANG Yujun (兵県大 理) ,  保井晃 (高輝度光科学研究セ) ,  高木康多 (高輝度光科学研究セ) ,  片瀬貴義 (東工大 フロ材研) ,  神谷利夫 (東工大 フロ材研) ,  和達大樹 (東大 物性研) ,  和達大樹 (兵県大 理)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.15p-D311-7  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 強相関ペロブスカイト型遷移金属酸化物は、巨大磁気抵抗,絶縁体一金属転移など多様な物性を示し、基板の応力歪み[α=(asub-asam)/asam(%),a:面内格子定数,α>0が伸長方向]によるバンド幅の制御によって、強相関電子系の電子物...【本文一部表示】

シソーラス用語： 格子定数 ,  *電子構造 ,  *薄膜 ,  Fermi準位 ,  スペクトル ,  チタン酸ストロンチウム ,  帯域幅 ,  価電子バンド ,  絶縁体 ,  ナノデバイス ,  強相関電子系 ,  遷移金属酸化物 ,  電子物性 ,  *硬X線光電子分光
準シソーラス用語： 巨大磁気抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 硬X線光電子分光 ,  LaNiO3 ,  薄膜 ,  電子構造 ,  応力依存性