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J-GLOBAL ID:202002228741867618   整理番号:20A2489862

畳み込みニューラルネットワークによる多結晶シリコンPL像中の転位発生点の予測

Prediction of dislocation generation points in multicrystalline silicon photoluminescence image by convolutional neural network
著者 (4件):
資料名:
巻: 120  号: 187(PRMU2020 18-37)  ページ: 50-55 (WEB ONLY)  発行年: 2020年10月02日 
JST資料番号: U2030A  ISSN: 2432-6380  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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転位は,ウェハ内部の結晶欠陥であり,電気的特性を劣化させる.それゆえ,転位発生メカニズムを明らかにすることが望まれている.本報告では,転位発生点を特定するために,入力されたウェハのPL像の各画素の位置で,上部の層で転位発生点を含むかを予測し,分布として可視化した.小領域画像を,画素単位でシフトさせて入力し,畳み込みニューラルネットワークによる識別結果を積算することで分布として得た.分布を0.5で閾値処理した時には,含まれる転位発生点の3から4倍の予測数が得られた.入力画像で転位領域を含むものを除いた予測として,0.9の値までの予測が有用であることを示唆する結果を得た.負例の増加に対して予測分布の値を検討したところ,発生点を含まない予測に対して値が低下するとは限らない結果となった.(著者抄録)
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分類 (3件):
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図形・画像処理一般  ,  人工知能  ,  固体デバイス材料 
引用文献 (12件):
タイトルに関連する用語 (5件):
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