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J-GLOBAL ID：202002229783167134   整理番号：20A2295852

SOI技術を用いた新型X線撮像分光器の開発 42:Double-SOI構造を導入したX線SOIピクセル検出器のX線に対する放射線耐性の評価

著者 (21件)： 北島正隼 (東京理大) ,  幸村孝由 (東京理大) ,  萩野浩一 (東京理大) ,  大野顕司 (東京理大) ,  根岸康介 (東京理大) ,  鑓田敬吾 (東京理大) ,  林田光揮 (東京理大) ,  鶴剛 (京大) ,  田中孝明 (京大) ,  内田裕之 (京大) ,  佳山一帆 (京大) ,  児玉涼太 (京大) ,  森浩二 (宮崎大) ,  武田彩希 (宮崎大) ,  西岡祐介 (宮崎大) ,  日田貴煕 (宮崎大) ,  行元雅貴 (宮崎大) ,  米村修斗 (宮崎大) ,  三枝紀嵐 (宮崎大) ,  新井康夫 (KEK) ,  倉知郁生 (KEK)
資料名： 日本天文学会年会講演予稿集
巻： 2020  号： 秋季  ページ： 165  発行年： 2020年08月20日 
JST資料番号： S0300B  ISSN： 1347-0639  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 我々は次世代X線天文衛星「FORCE」に搭載する目的で、X線半導体検出器「XRPIX」の開発を進めている。XRPIXはSOI技術を用いてセンサー層(Si)・絶縁層(SiO2)・CMOS回路層を一体とした構造を持つ。半導体検出器を軌道上で運用...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線照射 ,  宇宙線 ,  照射損傷 ,  電圧 ,  半導体検出器 ,  陽子照射 ,  金 ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  暗電流 ,  *耐放射線性 ,  *SOI構造 ,  *ピクセル検出器 ,  正電荷
準シソーラス用語： 絶縁層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (9件)： SOI技術 ,  X線撮像分光器 ,  開発 ,  SOI構造 ,  X線 ,  SOI ,  ピクセル検出器 ,  放射線耐性 ,  評価