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J-GLOBAL ID：202002234543422368   整理番号：20A2237334

反応性プラズマプロセスを用いた高移動度IGZO薄膜トランジスタの低温形成(II)

Low-temperature Formation of High-Mobility IGZO Thin Film Transistors using Reactive Plasma Processes(II)

著者 (5件)： 節原裕一 (阪大 接合研) ,  竹中弘祐 (阪大 接合研) ,  平山裕之 (阪大 接合研) ,  内田儀一郎 (名城大 理工) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13a-A205-4  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 大画面フラットパネルディスプレイの高精細・高輝度化に向けて、制御駆動素子である薄膜トランジスタ(thin-film transistor,TFT)の高性能化が喫緊の課題とされている。さらには次世代ディスプレイとして期待されているフレキシブ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *移動度 ,  *プラズマ ,  焼なまし ,  *低温 ,  *薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  *低温生成 ,  非晶質 ,  電気特性 ,  表示装置 ,  フラットパネルディスプレイ ,  プラズマ曝露 ,  製膜 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： フレキシブルディスプレイ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反応性プラズマ ,  プロセス ,  高移動度 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  低温形成