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J-GLOBAL ID：202002243457525437   整理番号：20A2236572

高感度CMOSイメージセンサ向けシリコンウェーハの製品設計-炭化水素分子イオン注入によるSiO₂/Si界面準位の制御-

Product design of silicon wafer for advanced CMOS image sensors-Control of SiO₂/Si interface states by hydrocarbon molecular ion implantation-

著者 (9件)： 奥山亮輔 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  鈴木陽洋 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  重松理史 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.12a-A202-6  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに. CMOSイメージセンサの高性能化のための重要な技術課題として,画素特性に悪影響を与える素子分離領域から生じるノイズおよび転送トランジスタから生じるランダムテレグラフノイズの低減がある.これらのノイズの原因は素子分離領域やトラ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *界面 ,  吸着 ,  雑音 ,  脱着 ,  電圧 ,  熱処理 ,  *表面準位 ,  *ケイ素 ,  酸素 ,  *水素 ,  不動態化 ,  *イオン注入 ,  *二酸化ケイ素 ,  *炭化水素 ,  *イメージセンサ ,  改変

分類 (4件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  撮像・録画装置  (ND12032E) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (10件)： 高感度 ,  CMOSイメージセンサ ,  シリコンウェーハ ,  製品設計 ,  炭化 ,  水素分子イオン ,  注入 ,  SiO2 ,  Si ,  界面準位