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J-GLOBAL ID：202002253083894950   整理番号：20A1605540

フッ化物イオン伝導体LaF₃における点欠陥構造の第一原理計算

First-principles calculations of point defect structures in fluoride ion conductor LaF₃

著者 (7件)： 桑原彰秀 (ファインセラミックスセ) ,  FISHER Craig. A. J. (ファインセラミックスセ) ,  森分博紀 (ファインセラミックスセ) ,  森分博紀 (NIMS) ,  右京良雄 (ファインセラミックスセ) ,  幾原雄一 (東大) ,  幾原雄一 (ファインセラミックスセ)
資料名： 電池討論会講演要旨集(CD-ROM)  (電池討論会PDF要旨集(CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.1D27  発行年： 2019年 
JST資料番号： L1273B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： フッ化物イオン(F-)伝導体LaF_3における点欠陥形成挙動を調べるために第一原理計算...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： フッ化物 ,  ランタン化合物 ,  *イオン伝導 ,  点欠陥 ,  第一原理 ,  *二次電池 ,  多形 ,  フッ素化 ,  脱フッ素 ,  *フッ化ランタン ,  *イオン伝導体 ,  第一原理計算

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (3件)： フッ化物イオン ,  点欠陥 ,  第一原理計算