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J-GLOBAL ID：202002270105649501   整理番号：20A0106491

ピエゾエレクトロニック磁気トンネル接合の圧力印加構造の評価

著者 (9件)： 浦下宗輝 (東京工大) ,  北川涼太 (東京工大) ,  小野澤隼 (東京工大) ,  STUTLER Y. (東京工大) ,  春本高志 (東京工大) ,  SHI J. (東京工大) ,  中村吉男 (東京工大) ,  高村陽太 (東京工大) ,  中川茂樹 (東京工大)
資料名： 日本磁気学会学術講演概要集  (Abstracts. Annual Conference on Magnetics in Japan)
巻： 43rd  ページ： 34  発行年： 2019年09月11日 
JST資料番号： Y0056A  ISSN： 1882-2959  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： はじめに我々の研究グループが提案するピエゾエレクトリック磁気トンネル接合(PE-MTJ)1,2)は,超磁歪材料でフリー層を構成したMTJとその周囲に形成された圧電体及びリング上の電極による圧力印加構造から成る不揮発性メモリ素子である.このP...【本文一部表示】

シソーラス用語： *効果 ,  *トンネル接合 ,  *磁気歪材料 ,  不揮発性メモリ ,  磁化特性 ,  磁歪 ,  圧電体 ,  *圧電効果 ,  *磁気トンネル接合 ,  *超磁歪材料
準シソーラス用語： 逆磁歪

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 磁気トンネル接合 ,  印加 ,  評価