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J-GLOBAL ID：202002271554191100   整理番号：20A0992803

高周波反射測定による電界誘起型シリコン量子ドットの高速電荷検出

Fast charge sensing in accumulation mode silicon quantum dots with radio-frequency reflectometry

著者 (6件)： 野入亮人 (理研 CEMS) ,  武田健太 (理研 CEMS) ,  米田淳 (Univ. New South Wales) ,  中島峻 (理研 CEMS) ,  小寺哲夫 (東京工大 工) ,  樽茶清悟 (理研 CEMS)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 75  号： 1  ページ： ROMBUNNO.18pA42-8  発行年： 2020年03月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,  ケイ素 ,  *電子スピン ,  *検出 ,  周波数特性 ,  反射率 ,  HF【周波数】 ,  電場効果 ,  *量子情報 ,  *電荷検出 ,  *半導体量子ドット ,  量子ビット
準シソーラス用語： シリコン ,  高周波 ,  高周波特性

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高周波 ,  電界 ,  誘起 ,  シリコン ,  量子ドット ,  電荷検出