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J-GLOBAL ID：202002273431131584   整理番号：20A2236924

面外に分極した分子による2次元半導体の化学ゲーティング

Chemical Gating for 2D Semiconducting Materials Using the Out-of-plane Molecular Dipole Moment

著者 (6件)： 福井暁人 (大阪府大 大学院) ,  津留崎陽大 (大阪府大 大学院) ,  吉村武 (大阪府大 大学院) ,  芦田淳 (大阪府大 大学院) ,  藤村紀文 (大阪府大 大学院) ,  桐谷乃輔 (大阪府大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.12p-A401-3  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】2次元半導体の電子状態は、極性分子の接面によって変化することが知られている。しかしながら、分極方向の制御が困難なため強くキャリア変調を誘起するのは難しい。本研究では、面外に分極を持つジベンゾホスフィンドリジン誘導体(Fig.1)...【本文一部表示】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  光ルミネセンス ,  *分極 ,  MOSFET ,  二酸化ケイ素 ,  スペクトル ,  振動モード ,  キャリア密度 ,  スピンコーティング ,  電子状態 ,  閾値電圧 ,  伝達特性 ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  *ゲーティング ,  ピークシフト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分極 ,  分子 ,  2次元 ,  化学 ,  ゲーティング