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J-GLOBAL ID:202002279025554211   整理番号:20A2610554

暗号ICの電力解析攻撃耐性評価基板に対する要求仕様の検討-PDNの伝達インピーダンスの漏洩強度への寄与-

Examination of Requirements for Power Side-Channel Attack Resistance Evaluation Boards of Cryptographic Integrated Circuits-Contribution of PDN Transfer Impedance to Leakage Strength-
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巻: 120  号: 211(HWS2020 25-41)  ページ: 1-6 (WEB ONLY)  発行年: 2020年10月19日 
JST資料番号: U2030A  ISSN: 2432-6380  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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暗号回路の電力解析攻撃に対する耐性を測定により評価する際に,IC単体での評価は容易ではないため,ICを評価基板に実装して評価が行われる.しかし,現状では評価基板の仕様は定義されておらず,同一のICの評価を行った場合でも実装した評価基板によって評価結果が異なる場合がある.それではどの評価結果が信用できるか判断できないため,評価環境を統一する必要がある.本研究ではサイドチャネル情報漏洩は伝達インピーダンスに依存すると考え,伝達インピーダンスの要求仕様を決定することを目的としている.本稿ではIC内部と基板上でサイドチャネル攻撃耐性の評価結果が異なる例を示すとともに,サイドチャネル情報漏洩が伝達インピーダンスに依存していることの確認を行った.2種類の評価基板SASEBO-GとSENPUを使用し,評価基板上の測定ポートで測定したSC漏洩波形から算出した相関係数は同程度であった.一方,ICレベルの相関係数をSNRと相関係数の関係式より求めたところSENPUの方が大きくなった.また,漏洩波形の振幅を比較するとSASEBO-Gの方が18倍大きくなった.さらに,両基板のFPGAコア回路の電源供給回路の等価回路より伝達インピーダンスを算出し比較したところ,SASEBO-Gの方が大きくなっていた.この結果よりサイドチャネル情報漏洩がIC電源供給回路の伝達インピーダンスに依存していることを示した.(著者抄録)
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分類 (1件):
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ディジタル計算機ハードウェア一般 
引用文献 (9件):

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