特許

J-GLOBAL ID：202003001628897301

単分子トランジスタ

発明者： 真島 豊 ,  中村 栄一 ,  辻 勇人 ,  野崎 京子 ,  新谷 亮 ,  オオヤン チュン ,  居藤 悠馬 ,  イ スンジュ
出願人/特許権者： 国立研究開発法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2019007941
公開番号（公開出願番号）：WO2019-168124
出願日： 2019年02月28日
公開日（公表日）： 2019年09月06日
要約：

単分子トランジスタは、第1電極層と第1電極層の一端部に配置された第1金属粒子とを有する第1電極と、第2電極層と第2電極層の一端部に配置された第2金属粒子を有する第2電極と、第1電極及び第2電極から絶縁された第3電極と、π共役骨格を有するπ共役分子とを含み、第1電極と第2電極とは、第1金属粒子と第2金属粒子とが対向し間隙をもって配置され、第1金属粒子及び第2金属粒子の一端から他端までの幅が10nm以下であり、第3電極は第1金属粒子と第2金属粒子とが対向する間隙に隣接し、第1金属粒子及び第2金属粒子と離隔して配置され、π共役分子は第1金属粒子と第2金属粒子との間隙に配置されている。

請求項（抜粋）：

第1電極層と、前記第1電極層の一端部に配置された第1金属粒子とを有する第1電極と、 第2電極層と、前記第2電極層の一端部に配置された第2金属粒子を有する第2電極と、 前記第1電極及び前記第2電極から絶縁された第3電極と、 π共役骨格を有するπ共役分子と、を含み、 前記第1電極と前記第2電極とは、前記第1金属粒子と前記第2金属粒子とが対向し、間隙をもって配置され、 前記第1金属粒子及び前記第2金属粒子の一端から他端までの幅が10nm以下であり、 前記第3電極は前記第1金属粒子と前記第2金属粒子とが対向する間隙に隣接し、前記第1金属粒子及び前記第2金属粒子と離隔して配置され、 前記π共役分子は前記第1金属粒子と前記第2金属粒子との間隙に配置されている ことを特徴とする単分子トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L29/28 220C ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616T

Fターム (20件)：

5F110BB13 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110QQ14