特許

J-GLOBAL ID：202003003298193461

自壊性二酸化炭素発生体および二酸化炭素発生システム

発明者： 宮内 雅浩 ,  駒木 秀明
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-093508
公開番号（公開出願番号）：特開2020-185557
出願日： 2019年05月17日
公開日（公表日）： 2020年11月19日
要約：

【課題】簡便なシステムで高効率に二酸化炭素を発生できる自壊性二酸化炭素発生体、およびこれを搭載する二酸化炭素発生システムを提供。【解決手段】本発明に係る自壊性二酸化炭素発生体は、支持体2と、支持体2上に形成され、有機物バインダ52と、有機物バインダ52に分散された光触媒51を含み、光触媒51の光触媒作用によって二酸化炭素を発生する自壊性二酸化炭素発生層3とを備える。自壊性二酸化炭素発生層3の、光触媒の活性光線の照射領域の表面積が、照射領域の投影面積の150%以上であり、光触媒51に対する活性光線を0.8mJ/cm2・secの強度で照射した場合に、常温・常圧で二酸化炭素が、活性光線が照射される投影面積の単位面積あたり1nL/cm2・sec以上発生する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持体と、 前記支持体上に形成され、有機物バインダおよび前記有機物バインダに分散された光触媒を含み、前記光触媒の光触媒作用によって二酸化炭素を発生する自壊性二酸化炭素発生層とを備え、 前記自壊性二酸化炭素発生層の、前記光触媒の活性光線の照射領域の表面積が、前記照射領域の投影面積の150%以上であり、 前記光触媒に対する活性光線を0.8mJ/cm2・secの強度で照射した場合に、常温・常圧で二酸化炭素が、活性光線が照射される投影面積の単位面積あたり1nL/cm2・sec以上発生する自壊性二酸化炭素発生体。

IPC (3件)：

B01J 35/02 ,  B01J 21/06 ,  C01B 32/50

FI (3件)：

B01J35/02 J ,  B01J21/06 M ,  C01B32/50

Fターム (15件)：

4G146JA02 ,  4G146JB01 ,  4G146JC01 ,  4G146JC22 ,  4G169AA02 ,  4G169BA04A ,  4G169BA04B ,  4G169BA48A ,  4G169CB81 ,  4G169EA01X ,  4G169HA02 ,  4G169HB03 ,  4G169HC01 ,  4G169HD02 ,  4G169HE06