特許

J-GLOBAL ID：202003005193312611

電力用半導体装置

発明者： 綿引 達郎 ,  湯田 洋平 ,  古川 彰彦 ,  宮島 晋介 ,  滝口 雄貴
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-500059
特許番号：特許第6667712号
出願日： 2017年02月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 単結晶構造を有し、ワイドギャップ半導体材料からなるn型半導体層と、 前記n型半導体層上に設けられ、前記ワイドギャップ半導体材料とは異なる材料からなり、微結晶構造を有するp型半導体層と、 前記n型半導体層および前記p型半導体層の少なくともいずれかの上に設けられた電極と、 を備え、 前記p型半導体層の微結晶構造が有する結晶粒は、前記p型半導体層の膜厚方向において、前記p型半導体層の平均膜厚よりも小さい結晶サイズを有していることを特徴とする、電力用半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01)

FI (13件)：

H01L 29/86 301 D ,  H01L 29/91 K ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/06 301 G ,  H01L 29/06 301 F ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/86 301 E ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/86 301 F ,  H01L 29/86 301 P ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/44 Y

引用特許：

審査官引用 (2件)

• p型酸化物、p型酸化物製造用組成物、p型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-045666   出願人：株式会社リコー
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-248846   出願人：豊田合成株式会社