特許

J-GLOBAL ID：202003015177081184

MIS型半導体装置およびその製造方法、並びにその製造に用いるスパッタリングターゲット

発明者： 長田 貴弘 ,  知京 豊裕
出願人/特許権者： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018046719
公開番号（公開出願番号）：WO2019-142581
出願日： 2018年12月19日
公開日（公表日）： 2019年07月25日
要約：

絶縁膜の誘電率が高く、バンドギャップが広く、半導体と絶縁膜の間に中間層を形成しにくく、界面準位が小さく、かつリーク電流の少ないMIS型半導体装置を提供する。該課題は、半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、絶縁体層が半導体層と導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、絶縁体層は、ハフニウムフッ化物およびランタンフッ化物を含み、ランタンフッ化物に対するハフニウムフッ化物の体積比率が0.35以上0.6以下であるMIS型半導体装置によって解決される。

請求項（抜粋）：

半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、 前記絶縁体層は、ハフニウムフッ化物およびランタンフッ化物を含み、 前記ランタンフッ化物に対する前記ハフニウムフッ化物の体積比率が0.35以上0.6以下である、MIS型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L21/314 A ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301B

Fターム (17件)：

5F058BB01 ,  5F058BB10 ,  5F058BC20 ,  5F058BF11 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140AA29 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA04 ,  5F140BA06 ,  5F140BD04 ,  5F140BE09 ,  5F140BF41 ,  5F140BG08