特許

J-GLOBAL ID：202003016884192010

ナノギャップ電極及びその作製方法、並びにナノギャップ電極を有するナノデバイス

発明者： 真島 豊 ,  チェ ユンヨン ,  ゴン アイン
出願人/特許権者： 国立研究開発法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2019007937
公開番号（公開出願番号）：WO2019-168123
出願日： 2019年02月28日
公開日（公表日）： 2019年09月06日
要約：

ナノギャップ電極は、第1電極層と、第1電極層の一端部に配置された第1金属粒子とを有する第1電極と、第2電極層と、第2電極層の一端部に配置された第2金属粒子を有する第2電極と、を含む。第1金属粒子と第2金属粒子とは間隙を持って相対して配置され、第1金属粒子及び第2金属粒子の一端から他端までの最大幅は10nm以下であり、第1金属粒子と第2金属粒子との間隙の長さが10nm以下である。

請求項（抜粋）：

第1電極層と、前記第1電極層の一端部に配置された第1金属粒子とを有する第1電極と、 第2電極層と、前記第2電極層の一端部に配置された第2金属粒子を有する第2電極と、を含み、 前記第1金属粒子と前記第2金属粒子とは間隙を持って相対して配置され、 前記第1金属粒子及び前記第2金属粒子の一端から他端までの幅が20nm以下であり、 前記第1金属粒子と前記第2金属粒子との間隙の長さが10nm以下であることを特徴とするナノギャップ電極。

IPC (5件)：

H01L 27/10 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  B82Y 10/00 ,  B82Y 40/00

FI (6件)：

H01L27/10 451 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/288 E ,  H01L21/288 M ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Fターム (22件)：

4M104AA01 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104DD53 ,  4M104FF17 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21