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J-GLOBAL ID：202102215248573498   整理番号：21A3006138

SOI技術を用いた新型X線撮像分光器の開発 48:PDD構造におけるリーク電流の原因特定とその解決手法

著者 (25件)： 行元雅貴 (宮崎大) ,  森浩二 (宮崎大) ,  武田彩希 (宮崎大) ,  西岡祐介 (宮崎大) ,  三枝紀嵐 (宮崎大) ,  米村修斗 (宮崎大) ,  石田辰徳 (宮崎大) ,  泉大輔 (宮崎大) ,  岩切卯月 (宮崎大) ,  梅野飛羽 (宮崎大) ,  鶴剛 (京大) ,  内田裕之 (京大) ,  天野雄輝 (京大) ,  佳山一帆 (京大) ,  松田真宗 (京大) ,  倉知郁生 (ディーアンドエス) ,  新井康夫 (KEK) ,  幸村孝由 (東京理大) ,  萩野浩一 (東京理大) ,  北島正隼 (東京理大) ,  土居俊輝 (東京理大) ,  田中孝明 (甲南大) ,  川人祥二 (静岡大) ,  安富啓太 (静岡大) ,  亀濱博紀 (沖縄高専)
資料名： 日本天文学会年会講演予稿集
巻： 2021  号： 秋季  ページ： 200  発行年： 2021年08月20日 
JST資料番号： S0300B  ISSN： 1347-0639  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 我々は、X線天文衛星「FORCE」搭載に向けてX線SOI-CMOSピクセル検出器「XRPIX」の開発を進めている。XRPIXはSilicon-On-Insulator(SOI)技術を用いることで、厚い空乏層を持つセンサ層...【本文一部表示】

シソーラス用語： 正孔 ,  電位 ,  *電流 ,  *漏れ電流 ,  ポテンシャル障壁 ,  空乏層 ,  センサ ,  *SOI構造 ,  不純物濃度 ,  ピクセル検出器 ,  CMOS ,  CMOS集積回路 ,  X線天文衛星
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  デバイスシミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 流星,すい星,いん石  (DB04040A)

タイトルに関連する用語 (7件)： SOI技術 ,  X線撮像分光器 ,  開発 ,  PDD ,  リーク電流 ,  原因 ,  手法