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J-GLOBAL ID:202102246842857514   整理番号:21A2142183

前駆体が発現するスメクチック相の表面エピタキシャル成長を利用した剛直ポリイミド垂直配向膜の創製

Development of Vertically Aligned Polyimide Films Using Epitaxial Growth from Surface of Smectic Liquid Crystalline Precursor
著者 (3件):
資料名:
巻: 76  号:ページ: ROMBUNNO.1F02  発行年: 2021年06月02日 
JST資料番号: L1827B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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【緒言】ポリイミド(PI)分子が垂直に配向した膜は,膜厚方向に高い熱伝導性を有する絶縁材料等への応用が期待される.最近,我々はPIの前駆体の一種で直線性の高い主鎖構造を有するポリアミド酸エステル(PAE,Fig.1)がNMP溶液中において,...【本文一部表示】
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分類 (5件):
分類
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高分子固体の物理的性質  ,  有機化合物の薄膜  ,  その他の高分子材料  ,  その他の液晶  ,  ポリアミド 
物質索引 (4件):
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