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J-GLOBAL ID：202102259816763302   整理番号：21A0956907

3R-MoS₂のバルク結晶を用いた電界誘起超伝導

Gate-Induced Superconductivity in 3R-MoS₂ Bulk Single Crystals

著者 (5件)： 堀良太 (名古屋大 工) ,  津村公平 (名古屋大 工) ,  矢野力三 (名大 未来研) ,  笹川崇男 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  柏谷聡 (名古屋大 工)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 75  号： 2  ページ： ROMBUNNO.10aF1-5  発行年： 2020年09月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 二硫化モリブデン(MoS2)は層状ダイカルコゲナイドの1つであり、積層構造に応じて2Hと3Rという2つの安定したポリタイプがある(図1)。これらは物理的および化学的特性が類似しているが、3R-MoS2は2Hと異なりバルクでも反転対称性の破れ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  結晶 ,  *超伝導 ,  化学蒸着 ,  ポリタイプ ,  *単結晶 ,  イオン液体 ,  制御 ,  *相転移 ,  ドーピング ,  転移温度 ,  ゲート制御 ,  バルク結晶 ,  *超伝導転移 ,  超伝導転移温度
準シソーラス用語： *電界誘起超伝導

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3R ,  MoS2 ,  バルク結晶 ,  電界 ,  誘起 ,  超伝導