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J-GLOBAL ID：202102269176679409   整理番号：21A1574444

絶縁層/有機半導体層の同時成膜による低しきい値,高移動度トランジスタの作製

Fabrication of OFET with low threshold voltage and high carrier mobility by simultaneous film formation of insulator/organic semiconductor-layers

著者 (3件)： 山岡祐太 (東京工大 大学院) ,  田口大 (東京工大 大学院) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.18p-P04-7  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： キャリア移動度 ,...

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分類 (1件)： 抗原・抗体・補体一般  (ED04010A)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁層 ,  有機半導体 ,  成膜 ,  しきい値 ,  高移動度 ,  トランジスタ ,  作製