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J-GLOBAL ID：202102275393837123   整理番号：21A1574824

反応性プラズマプロセスを用いた高移動度IGZO薄膜トランジスタの低温形成(III)

Low-temperature Formation of High-Mobility IGZO Thin Film Transistors using Reactive Plasma Processes (III)

著者 (7件)： 竹中弘祐 (阪大 接合研) ,  平山裕之 (阪大 接合研) ,  藤村知輝 (阪大 接合研) ,  林祐仁 (阪大 接合研) ,  内田儀一郎 (名城大 理工) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー) ,  節原裕一 (阪大 接合研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.19a-P02-8  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： フラットパネルディスプレイの高精細化に向けて、画素の制御駆動素子である薄膜トランジスタ(thin-film transistor,TFT)の高性能化が要求されている。さらにフレキシブルディスプレイの応用を考えた場合、そのTFTのチャネル層材...【本文一部表示】

シソーラス用語： *プラズマ ,  *低温 ,  *薄膜 ,  電気的性質 ,  *薄膜トランジスタ ,  非晶質 ,  画素 ,  電気特性 ,  誘導結合プラズマ ,  フラットパネルディスプレイ ,  プラズマ曝露 ,  製膜 ,  電界効果移動度 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： フレキシブルディスプレイ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反応性プラズマ ,  プロセス ,  高移動度 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  低温形成