文献
J-GLOBAL ID：202102277149903412
整理番号：21A0541423
GaN中の塩素の電子特性:ab initio研究【JST・京大機械翻訳】
The Electronic Properties of Chlorine in GaN: An Ab Initio Study
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著者 (3件)：
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資料名：
巻：
258
号：
2
ページ：
e2000303
発行年：
2021年
JST資料番号：
C0599A
ISSN：
0370-1972
CODEN：
PSSBBD
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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塩素系反応性イオンエッチング(RIE)は,GaN半導体素子の製造のための基本的な処理ステップである。不純物を加工中に結晶中に意図的に取り込むことができるので,GaN中の塩素の電子特性を調べた。置換型Clと関連錯体(空孔またはドーパント)の密度汎関数理論計算を行った。Clとその錯体が正孔密度とオーム接触抵抗に対するCl RIE処理GaNの報告された効果を説明することが分かった。Copyright 2021 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語：
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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般
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ライセンス情報：
© 2020 Wiley-VCH GmbH
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